本项目开发了一套样品尺寸自兼容、混合 — 匹配（Mix-and-match）紫外 / 电子束光刻技术，实现顶部光栅像元和底部探测器光敏元之间的高精度集成（点对点对准）；克服了工艺过程中光刻胶旋涂不均元，光栅分布方向影响线宽，以及线边粗糙度对偏振消光比的影响，成功制备了大尺寸、实用型 540×4 像元和 320×256 超像元的 InP 基分焦平面式 InGaAs 短波红外焦平面偏振探测芯片；实现了优异的偏振成像功能，并验证了其在短波红外区域展示出对比度增强的成像效果。与传统光电器件相比，该金属光栅片上集成式 InGaAs 短波红外偏振探测芯片，克服了偏振探测系统对透镜、滤光片、偏振片等分立光学元件的依赖，有助于后续发展更紧凑、更轻巧的光学系统架构。