电吸收调制激光器（EML）具有大调制带宽、低频率啁啾的特点，是远距离、高速通讯网络的核心光源之一。随着数据中心、5G宽带无线通信的不断发展，50G EML 成为下一代50G PON接入网核心光芯片之一，但是国内50G EML芯片市场被朗美通、三菱、住友等国外公司占有，亟需突破关键技术壁垒，弥补高速光芯片国产化自主空白。

项目团队开展集成高功率DFB和高速EA调制器的EML集成芯片研究，通过EML工作机理、外延生长机理、集成芯片结构设计及制备工艺等研究，突破了P-Q/Al-Q多量子阱生长与量子阱对接等工艺技术难题，实现了高质量EML外延材料和集成芯片的可控制备，研制的EML光芯片3dB调制带宽≥38GHz，调制光功率≥7dBm，50Gbps NRZ眼图张开，满足50G PON应用要求，指标已经达到国际先进水平，为形成自主可控的光通讯核心光芯片解决方案、技术体系和标准规范提供了技术支撑。