AI算力的爆炸性需求推动2.5D/3D先进封装市场快速增长，而2.5D/3D封装的关键核心在于TSV技术，实现芯片在三维方向上的高带宽、低延迟和低损耗的信号传输。例如，NVIDIA的高端显卡采用2.5D/3D TSV集成图形处理器（GPU）和高带宽存储（HBM），实现了超高带宽的近存计算，突破了当前存储瓶颈，为ChatGPT等AI大模型训练提供强大的算力支持。

目前，典型的TSV直径约10微米、深宽比约10:1，互连密度有很大的提升空间。TSV直径的减小不仅可减少其占用面积、提高互连密度，还能显著减少TSV附近应力，避免影响器件性能。根据TSV技术路线图，未来先进TSV直径有望减小到1微米，深宽比达到20:1。国际上重要的半导体科研机构和领先企业已经开始研究亚微米直径、高深宽比TSV技术。

在TSV制造中，通孔电镀填充是技术难度最大、成本占比最高（高达44%）的工艺。目前，TSV电镀药水几乎100%由国外厂商乐思、陶氏杜邦、安美特等垄断；国内企业如上海新阳、深圳创智等仍在研发验证阶段，而针对高深宽比TSV的电镀药水则尚处于空白领域。

厦门大学已经开发出国际一流、国内领先的高深宽比TSV电镀药水和填充技术，其主要技术指标包括：TSV开口≤3微米，深宽比≥15:1，且实现了无孔洞填充。