基于无机半导体（如硅和III－V族量子阱材料等）纳米薄膜的可曲面贴合器件的设计制备技术目前大多还停留在实验室阶段，制约其大规模应用的主要瓶颈在于其制备工艺上还难以做到与现有MOS工艺相兼容。在各类半导体器件中，光电探测器可用于识别目标并对它们进行跟踪、瞄准，因此在航天及预警探测、侦察监视、精确制导等武器装备中有重要的应用。由于不同半导体材料有对应的探测波长范围，需要开发对多种材料普适的制造工艺和技术，以实现多波段的可曲面贴合的光电探测器。本课题组致力于:1．适应曲面贴合的柔性半导体薄膜制备。2．纳米薄膜光电探测器件制备。3．可曲面贴合器件的转移工艺。该技术的突出优势是器件制备兼容标准半导体工艺，而后续减薄工艺在获得可曲面贴合器件的同时可以尽可能维持器件的高性能。