项目背景：光刻胶在光刻工艺中用作抗腐蚀涂层材料，是光刻工艺的关键材 料，其生产技术复杂，品质有严格的要求。目前，国内光刻胶市场主要由日系的 JSR、信越化学、东京应化等公司以及欧美企业所垄断，中国大陆与世界领先水 平还有较大差距，其半导体级高端产品国产化率不足1%，难以满足国内企业的 用胶需求。半导体级光刻胶的核心是超高纯光刻胶树脂固体单体，但其含有羟基、 羧基等金属离子强螯合基团，存在高价金属（如Fe、Cr等）难以深度脱除至20 ppb以下的难题，致使我国固体单体的研究和产业化还基本处于空白状态。因此， 亟需开展固体单体纯化去除金属杂质技术的研究，打破国外相关大型公司对半导 体级光刻胶树脂固体单体生产技术的封锁，完整产业链，实现自主可控和国产化 供应。 创新点：本项目开发了多种痕量脱除金属离子的吸附剂，实现了不同价态金 属离子的痕量脱除（所有金属离子含量均＜20ppb）；提出了“溶解－吸附－结 晶－过滤－干燥组合工艺”提纯含有羟基基团固体单体的新方法，突破了光刻胶 树脂固体单体提纯的卡脖子难题，为实现高端光刻胶树脂国产化奠定坚实基础。 应用场景：本项目所研发的半导体级光刻胶树脂固体单体纯化关键技术属于 化工分离过程领域，制备的产品在芯片制造、集成电路、微机电系统以及光电子 器件制造等领域具有广泛的应用前景。除此之外，相关技术还能够为光通信行业 高性能光芯片的高效生产提供有力支持，有效推动相关产业的技术升级与发展。